Делаю себе контроллер BLDC на Arduino )

[on4ip]

А какие у вас времена переключения что вы думаете что миллира нет?
Без тока выброс смотреть вообще бесполезно V=Lz*dI/dt  .

[Timber]

Да, осциллограмы нарастания/спада интересно было бы увидеть 

[mr.Dream]

[user]clawham[/user], диоды будут работать до определенного тока, скажем ампер 5, а далеее "разрешение" синхронного подпирания диодов каналами полевиков, как писал раньше, даже мощность считал Этими же подпираниями буду рекуперировать плавно.

[mr.Dream]

[user]on4ip[/user] вот нашел еще один кусочек осцилограммы. 500нс/дел.

Общия заряд затвора примерно за 700нс, но он же не все время от 0 до 10В в линейном режиме, а от плато миллера и до вольт 8, (по даташиту при В4,5 уже более 100А, если не считать задержек включения 25нс). Счас нету возможности опять осцилограф подбросить на фазы и померить время переключения, но где то 250нс должно быть.  Не считаю, что это много, тем более при частоте до 10кГц

Добавлено 15 Окт 2016 в 00:54:53
[user]Timber[/user], если имеете ввиду на затворах, то я несколькими постами ранее ик прикрепил
Посоветуйте, что нужно смотреть осцилом, и я завтра выложу

[mr.Dream]

Перед драйверами нужно будет поставить такую вот логику - защиту от сквозняка. Еще бы сделать мертвое время небольшое, 100-500нс.

[Timber]

Если есть возможность - в двухканальном режиме напряжение сток-исток и ток. Перемножая одно на другое получаем мгновенную мощность   
25 вольт на 100 ампер это 250 миллиом, а рабочее сопротивление канала у них меньше. ну и мощность мгновенная немаленькая.

UPD
Там самого интересного не видно - нарастания и спада.

[mr.Dream]

Вот этого не понял. Что за формула? Что за 25 мОм я не понимаю)
Нарастания и спада чего? Тока, напрчжения? У меня один канал в осциле. Верней нету второго щупа.

[Timber]

там опечатка была. должно быть 0,25 ом или 250 миллиом

[mr.Dream]

[user]Timber[/user], но я так и не понял, что ща сопротивление вы имели ввиду) про сгновенную мощность понятно, а вот ч с сопротивлением не очень.

[Steel RAT]

Может китайцы не такие и дураки, что делают драйвер на рассыпухе?

[Timber]

Может китайцы не такие и дураки, что делают драйвер на рассыпухе?

Дешевле получается и больше простор для маневра(по напряжению, току, цене).

[user]Timber[/user], но я так и не понял, что ща сопротивление вы имели ввиду) про сгновенную мощность понятно, а вот ч с сопротивлением не очень.

Сопротивление полуоткрытого канала.
Если есть только один канал -  интересно было бы посмотреть на осциллограмму нарастания тока на чисто резистивную нагрузку. А спад - на нагруженном двигателем.
И если не затруднит - нарастание и спад напряжения на затворе при максимально нагруженном двигателе.

[mr.Dream]

[user]Timber[/user], ну пока что на максимальной нагрузке на столе возможности нету сделать. Нечем тормозить двигатель ) а на байке осцилографом не удобно пользоваться, хотя можно и приспособиться )

меня и вправду мучает вопрос сквозного замыкания через верхнее и нижнее плече моста конденсатора. Мозг отказывается воспринимать действительноть. Зараз конденсатора до 80В 220мкФ это 0.704Дж. Или Вт/сек. Если включение мосфета было на протяжении 1мкс, то мгновенная мощность теоретически 700кВт (без учета падения на остальных сопротивлениях). Да, такое кристалл держать не должен. Но ведь это всего лишь 1мкс, за это время он даже при такой мощности не успел бы прогреться, даже приповерхностный слой канала. Но ведь сопротивление конденсатора 0,19Ом, а ключа пара милиом. Максимальная пиковая мощность на ключе будет выделяться в момент сравнения с сопротивлением конденсатора. А значит мгновенная мощность не может быть больше 80^2/0.19/2/2=8.4кВт. И ток пиковый в этот момент 80/0,19/2=210А. Так от чего же все таки пробой? Тепловой от мощности? 
Вот в фотовспышке ключ коммутирует гораздо больше энергии.  Отсекает под нагрузкой импульсную ксеноновую лампу) и выживает. Не могу понять природу пробоя мосфета. Буду ради услышать множество теорий по этому поводу.
Хотя, на заряженных конденсаторах если "включить" контроллер, то двигатель неплохо так дергает с подпрыгом. Но очень мало времени Если проблема только в недержании сквозного тока, то это я устраню защитой.

[Timber]

Стенд для нагрузки всегда пригодится 

Пробой скорее всего из-за сложных переходных процессов(внутренняя структура MOSFET довольно сложная - или пробой, или защелкивание чего-небудь куда-небудь

Во вспышках IGBT, а они более живучие, и там тоже все непросто

[acyd]

читал статью, возможно пригодится
http://www.compel.ru/lib/ne/2011/10/4-kak-razrabotchiku-zastavit-rabotat-novyie-mosfets

[mr.Dream]

[user]acyd[/user], спасибо) я столько уже перечитал теорий, и даже эту читал) голова кругом.  Но как разберусь окончательно, напишу свою книжку )))))))
я тут подумал. а может индуктивность электролитического конденсатора играть такую фатальную роль в жизни мосфета? Я это припускаю, но не могу нарисовать в уме этот процесс. Возможно, фет убивал не ток и мощность на кристалле, а индуктивный выброс высоковольтный, что более вероятно пробьет столь мощный кристал - пробьет оксидную пленку.

[Timber]

У этих транзисторов есть защита от пробоя (Рис 21.а)
И теория http://www.st.com/content/ccc/resource/technical/document/application_note/05/13/69/ee/aa/87/49/b6/CD00100956.pdf/files/CD00100956.pdf/jcr:content/translations/en.CD00100956.pdf
http://www.microsemi.com/document-portal/doc_view/14707-understanding-the-differences-between-standard-mosfets-and-avalanche-energy-rated-mosfets

И еще один вариант -во время обратного восстановления диода пошел ток и мгновенно прервался(наверное быстрее пары наносекунд) - и паразитный транзистор в диодном включении не успел погасить импульс

[Night-Prizrak]

А пробило то феты как?
Драйн-Сорс?
или гейт к ссорсу (драйну)?
или вообще "3в1" ?

[mr.Dream]

[user]Night-Prizrak[/user], все три слиплись. Думаю, это важное замечание. сток-исток накоротко, а затвор 1-2 ома.