BMS под титанат

Автор Dutch1981, 23 Фев. 2017 в 16:03

« назад - далее »

0 Пользователи и 1 гость просматривают эту тему.

gonzickus

продолжаю помолясь.
плата -универсальная.под любую химию и количество ячеек от 4 до 10.
если мы хотим из 10 s сделать 8s,то помимо изменений в EEPROM,нужно внести изменения в железе.
замыкаю 3 пина в балансировочном разъёме и уменьщаю количество проводов до 9 штук

gonzickus

следующая строка.
Programmable Overvoltage Threshold Settings
можно выбрать верхний порог отключения из выпадающего списка от 2.8 в до 4.375 в.
что не очень хорошо для титаната.
я бы хотел 2.7 вольт.
но у меня эта плата-под железофосфат.ставлю 3.6 вольт.
и оно именно на 3.6 в отключается в реале.+- 0.05 вольт.
но неизвестно,кто брешет-микросхема или мой мультиметр.

gonzickus

следующая,третья строка.
Не используйте линию TS для управления внешним зарядным устройством

gonzickus

8 возможных настроек для управления гистерезисом OV (см. следующую таблицу)

gonzickus

8 возможных  настроек  для управления задержкой измерения OV (см. следующую таблицу)

rusmax

Цитата: gonzickus от 21 Дек. 2023 в 19:12следующая строка.
Programmable Overvoltage Threshold Settings
можно выбрать верхний порог отключения из выпадающего списка от 2.8 в до 4.375 в.
что не очень хорошо для титаната.
я бы хотел 2.7 вольт.
Да нормально для любого титаната 2,8В. Тем более что это напряжение под токами заряда. А какой диапазон гистерезиса можно выбрать?
Приус 20 (Tosiba SCiB 60Ah 3p5s;Бинар-5Б-Компакт) + i-miev (титатантка)

gonzickus

Цитата: rusmax от 22 Дек. 2023 в 05:38Да нормально для любого титаната 2,8В. Тем более что это напряжение под токами заряда. А какой диапазон гистерезиса можно выбрать?
8 значений можно выбрать .от 0 до 300 мв

gonzickus

следующая ,четвёртая строка
Используйте порог гистерезиса, чтобы разрешить восстановление после UV (ПО УМОЛЧАНИЮ)
не уверен,нужно использовать гистерезис,или нет.по умолчанию-используется.

gonzickus

Настройки порога отключения при пониженном напряжении
Конкретная точка отключения при пониженном напряжении, требуемая типом ячейки и приложением, может быть установлена с помощью битов UVT[3:0]
, как показано здесь:

gonzickus

поставлю -ка я 2.3 вольта.для железофосфата 2.0 мало,2.5 много.

gonzickus

пятая строка
Восстановление после UV -сбоя возможно только тогда, когда напряжение на всех элементах превысит порог VUV+hyst И нагрузка будет снята

gonzickus

#227
Уровень UV гистерезиса
UV-гистерезис устанавливается с помощью битов UVH[1:0]. Доступны четыре возможных значения, как показано на рисунке; однако
максимальный уровень восстановления устанавливается равным 3,5 В в случае сочетания высокой точки отключения
UV  и высоких значений гистерезиса UV

gonzickus

Деталь переходит в режим отключения, если напряжение на какой-либо ячейке остается <VUV+hyst в течение >8 секунд в состоянии UV-неисправности

gonzickus

вот ещё табличка

gonzickus

Время задержки UV
Восемь возможных настроек временной задержки для задержки отключения  UV выбираются с помощью битов UVD[2:0], как показано на рисунке.

gonzickus

#231
шестая строка
Настройки задержки обнаружения перегрузки по току разряда
Overcurrent in Discharge Delay Settings (OCD_DELAY, Address 0x06)

gonzickus

следующая строка.
Настройки задержки SCD можно выбрать два отдельных диапазона из 16 возможных значений времени задержки, как показано здесь.

Используйте более широкий диапазон значений для всех пороговых значений короткого замыкания и перегрузки по току

gonzickus

Используйте настройки быстрой задержки