О зарядных устройствах и свинцовых АКБ от А до Я (по версии Kass)

[serggio]

Вы не хотите видеть биполяр, видите только часть структуры - диод . Это привычнее для всех.Согласен.

Вы может быть объясните мне, зачем раньше сток-исток шунтировали внешним диодом у полевика, а теперь перестали?
По вашей стройной теории все должно было быть Ок с самого момента появления полевиков.

Посмотрите через какие области текут токи в современных Power MOSFET.


Сравните структуру мосфета со своей картинкой

Иначе, чем на этой картинке сделать любой (даже не силовой) МОП не получится.

[Serg]

Посмотрите через какие области текут токи в современных Power MOSFET.

Через вот эти



Вам, чтобы не запутались даже цветовое выделение сохранили.

Ничем не отличается от моей картинки.
Я тут даже дорисовал, чтобы помочь вашему разглядыванию

Никаких отличий
Электроды С и И подключены так или иначе к N - областям, затвор "висит" над P- областью.
Сочетание переходов в последовательности N-P-N - это биполярный транзистор

[serggio]

Ничем не отличается от моей картинки.

Да ну? 
А ну ка на своей картинке PiN диод нарисуйте и укажите стрелочками как будет течь ток через канал (сток-исток) и как будет течь обратный ток через "диод" который вы там нашли.

Кстати, вы так и не ответили на вопрос, зачем все таки раньше, у устройств собранных на старой элементной базе ставили диод шунтирующий сток-исток рядом с транзистором, а сейчас обходятся без него..

[Serg]

Вы может быть объясните мне, зачем раньше сток-исток шунтировали внешним диодом у полевика, а теперь перестали?

Встроенный диод раньше был не очень, в проводящем состоянии на нем падало больше 1.5 В - грелся сильно. Поэтому навешивали внешний. Других причин нет.

Добавлено 18 Апр 2019 в 15:33

А ну ка на своей картинке PiN диод нарисуйте и укажите стрелочками как будет течь ток через канал (сток-исток) и как будет течь обратный ток через "диод" который вы там нашли.

Если вы не хотите видеть, я хоть тысячу картинок приведу - бестолку все будет.
Вот эквивалентная схема силового транзистора из Infineon


Вот он биполяр, как тот суслик - ты его не видишь, а он есть(С)

[serggio]

Встроенный диод раньше был не очень, в проводящем состоянии на нем падало больше 1.5 В - грелся сильно. Поэтому навешивали внешний. Других причин нет.

На PiN диоде в структуре поболее падает, до 3В, и ничего. Так что этот вариант отпадает.

Пути токов нарисуйте для своей p-n структуры. Вы видите что на схематическом представлении встроенный диод (не ваш) "включен" (работает) в обратном направлении. А у вас как собирается работать? Ну раскрасьте свой рисунок чего же вы? У вас там вроде и сток и исток обозначен.
P - положительные заряженные частицы (дырки по простому), N - отрицательно заряженные - электроны.
В диоде где P, а где N тоже надеюсь знаете.

Вот он биполяр, как тот суслик - ты его не видишь, а он есть(

Про биполяр единственный кто завел речь - это вы, сами с ним разбирайтесь. А мы про диод говорили

[Serg]

А мы про диод говорили

Диод - не более чем переход КЭ биполяра
Завели пластинку про его встраивание. Далее цепочка - никто не встраивает, более того там даже не диод, а изначально триод(биполярный транзистор). Следующая цепочка от вас - а где, где там биполяр, я вижу диод. Все не так как нам пишут в учебнике - структура не та, не эта, слоев много.... И далее прочая слепота.

Суслика не видишь , а он есть(С).
ПС Кроме того там еще имеется встроенный полевик с Р-N переходом, как можно видеть на схеме Infieon.

[Кass]

Диод - не более чем переход КЭ биполяра
Завели пластинку про его встраивание. Далее цепочка - никто не встраивает, более того там даже не диод, а изначально триод(биполярный транзистор).

Вы очень сильно ошибаетесь. Я вот вам более детально разрисовал рисунок Serggio:



Теперь попробуйте найти что то подобное на вашей картинке. Внизу только соединение с катодом диода.

[Кass]

Полоска металла сложно "начерченная" на поверхости кристалла ввиде сотовой структуры.

Эта полоска еще в изоляторе в виде оксида, и вот точно такой же формы сам транзистор. Это только локальный разрез в одном месте напоминает обычный MOSFET. И даже упоминание, что там тысяци МОП транзисторов тоже условное, что бы упростить понимание. По сути это сам транзистор сотовой структуры, а вот в центрах сот есть обычные диоды.

[Serg]

Вы очень сильно ошибаетесь.

В чем я ошибся? Там как бы два перехода, вы один из них проигнорировали. См. картинку от Infineon раз


Как бы несколько больше перходов(диодиков), чем у вас

Два

Как-бы тоже переходов два - один КБ, второй БЭ.

[serggio]

Как бы несколько больше перходов(диодиков), чем у вас

Что-то не возбуждает ваше количество диодиков. 
Вы смотрите как они "условно" включены в какую сторону то проводят, и что с чем соединяют.

[Serg]

Что-то не возбуждает ваше количество диодиков.  Вы смотрите как они "условно" включены в какую сторону то проводят, и что с чем соединяют.

Не моих
На картинках от Infineon все нарисовано, куда и что с чем. Смотри. Понимай.

[Кass]

В чем я ошибся? Там как бы два перехода, вы один из них проигнорировали.

Да во всем. Я не проигнорировал, я вам сразу написал, что вы путаете диод и паразитный биполярный транзистор, который совсем в другом месте. Вот на вашей картинке я вам его нарисовал:



Но если учесть, что база его, то есть подложка соединена с эмиттером, то есть истоком, то он закрыт, и никаким диодом не является. Диод вообще вне этой картинки.

[Serg]

никаким диодом не является

Переход КБ не является диодом в биполярном тр-ре? Интересно девки пляшут.

[serggio]

Я тут даже дорисовал, чтобы помочь вашему разглядыванию
Никаких отличий
Электроды С и И подключены так или иначе к N - областям, затвор "висит" над P- областью.
Сочетание переходов в последовательности N-P-N - это биполярный транзистор

У вас они подключены к N областям, а в том транзисторе о котором говорим мы, еще и P область подключена к стоку
Это то и образует обратно включенный диод в структуре транзистора.
А вы говорите, что никаких отличий. Вы просто упрямо спорите.
Вы у себя то диоды на картинке нарисуйте, раз уж разрисовывать ее взялись. Именно диод включенный в обратном направлении относительно протекания тока сток-исток.

[Serg]

еще и P область подключена к стоку

Пальцем покажите место, где  P область к стоку непосредственно прикоснулась.
Добавлено 18 Апр 2019 в 19:06

Вы у себя то диоды на картинке нарисуйте, раз уж разрисовывать ее взялись.

Не против, что я заменил условное изображение транзистора на два встречно последовательно включенных диодика?- отражает ведь биполярную сруктуру N-P-N.

[serggio]

Пальцем покажите место, где  P область к стоку непосредственно прикоснулась.

У вас что, зрение на ночь глядя расфокусировалось?
Внимательно картинки смотрите!
https://electrotransport.ru/index.php?topic=50717.msg1607013#msg1607013
А теперь на свою смотрите...
И расскажите как у вас этот n-p-n переход заработает как диод сток-исток да еще и в нужном направлении

[Serg]

У вас что, зрение на ночь глядя расфокусировалось? Внимательно картинки смотрите!

Смотрю. Вижу P-область соединена с source.
Но  source всегда был истоком.  Вы же утвержаете что она соединена со стоком(drain)

а в том транзисторе о котором говорим мы, еще и P область подключена к стоку

Добавлено 18 Апр 2019 в 19:26

И расскажите как у вас этот n-p-n переход заработает как диод сток-исток да еще и в нужном направлении

Разве эта картинка претендовала на полноту представления? - нет. Только о принципах работы MOSFETа.
А так принято соединять подложку( т.е. базу биполяра), с истоком( т.е  с эмиттером ), т.о. устраняя усилительные свойства биполяра. Тогда в работе остается один диод, соответствующий переходу КБ паразитного транзистора.
ПС Правда соединение базы с эмиттером не очень получается - остается распределенное сопротивление между ними. Плюс к этому емкость перехода КБ. На 'эквивалентной схеме от Infineon эти элементы указаны как Rb  и Сdb. Эффектам включения от высокой скорости нарастания напряжения на стоке посвящаются.

[serggio]

Смотрю. Вижу P-область соединена с source.
Но  source всегда был истоком.  Вы же утвержаете что она соединена со стоком(drain)

Я не утверждаю. Я просто перепутал в одном из сообщений выше

Добавлено 18 Апр. 2019 в 20:13

На 'эквивалентной схеме от Infineon эти элементы указаны как Rb  и Сdb.

На эквивалентной схеме от Infenion рассматривается современный силовой мосфет в котором все как надо организованно. И диод в структуре присутствует. 
А не та общая картинка которую вы старались притянуть за уши