О зарядных устройствах и свинцовых АКБ от А до Я (по версии Kass)

[serggio]

Емкость есть? - значит не важно выше или ниже порога. Сигнал проходит.

Какой сигнал? Сигнал из космоса?
У вас был биполярник, теперь появилась емкость... 
У вас биполярник проводит ток между эмиттером и коллектором без тока базы за счет емкости n-p-n?

Где я указал, что это прямо вот два соединенных диода посредством выведенных контактов?

Картинку сами же рисовали https://electrotransport.ru/index.php?topic=50717.msg1607283#msg1607283
А теперь лезете со своим примитивом в нашу четко спланированную структуру и покушаетесь на наш специально созданный в структуре транзистора диодик со своим n-p-n и емкостью 

Короче, признавайте что наш диод - это порождение инженерии и технологий и он отнюдь не случаен и не порождение паразитных элементов и идите спокойно спать 

[Serg]

У вас был биполярник, теперь появилась емкость...

Изолированный затвор по случаю находится прямо над P-областью, по совместительству  базой биполярника.


Добавлено 18 Апр 2019 в 23:49

Короче, признавайте что наш диод - это порождение инженерии и технологий и он отнюдь не случаен и не порождение паразитных элементов и идите спокойно спать 

Я, по-моему, уже пересказал методички от производителей в подробностях. Кто не понял, я не виноват. Спать уже буду в адмиральский час

[serggio]

Изолированный затвор по случаю находится прямо над P-областью, по совместительству  базой биполярника.

Хоть на кольцах Сатурна!
Нас интересует как этот диод ведет себя когда на затвор ничего не подано!
Когда транзистор Выключен!
Именно по этому ему сначала один пользователь приписал свойства лавинного пробоя, а вы взялись эту теорию дальше развивать.

Нет у вас ничего на затворе, который по совместительству находится над базой, как вы говорите!
Я уже раньше написал вам - шиш на нем, дырка от бублика! Нет напряжения, нет емкости. Угас ее остаточный заряд с самым началом первого выброса индуктивности. (Вспоминаем осциллограмму)
Думайте дальше!

[Serg]

Думайте дальше!

Ну если угасло, тогда: нет ручек - нет мультиков(с)
Добавлено 19 Апр 2019 в 00:16

Именно по этому ему сначала один пользователь приписал свойства лавинного пробоя, а вы взялись эту теорию дальше развивать.

Скромнее ему нужно было быть. Не только он приписывает, вообще-то во всех методичках на то прямое указание имеется.

[serggio]

Не только он приписывает, вообще-то во всех методичках на то прямое указание имеется.

Как то по его цитате про лавинный пробой ничего кроме кривого перевода статей про структуру со встроенным диодом в современный силовой мосфет не нашлось.
Зато нашлись вы со своим n-p-n и цитатой на статью от инженера из Инфинеон картинки из которой вы свели к «основам» а затем и емкость придумали

Кстати, не расскажите ли более подробно про лавинный пробой на вашей «упрощенной модели» полевого транзистора (той где вы два диода нарисовали), где он и как происходит (пробивается) и как потом структура канала восстанавливается после неоднократно приложенного обратного напряжения вызванного индуктивностью нагрузки равного напряжению прямого пробоя по даташиту

[Serg]

кривого перевода статей

Да, конечно кривой перевод виноват во всем. Понимаю.
А самому слабо докопаться, что такое
Eas  и Ias в даташите?

[serggio]

А самому слабо докопаться, что такое
Eas  и Ias в даташите?

Вы бы сначала мысль про емкость затвора закончили для n-p-n паразитных там и окончательно в рамочку оформили. А то уже и на даташит перекинулись...
Галопом по Европам скачите... Нехорошо! 

[Serg]

Нехорошо!

Хорошо!
Про лавинный пробой вы темку подняли в очередной раз. Слабо раскопать и доложить?- о чем таком это пишут анженеры Infineon.
Добавлено 19 Апр 2019 в 01:10

Вы бы сначала мысль про емкость затвора закончили для n-p-n паразитных там и окончательно в рамочку оформили.

Я думаю, что уже не в коня...

[Vova_n]

[user]serggio[/user], а ведь [user]Serg[/user],  прав боди диод это паразитный диод структуры современных транзисторов, а то, что нынче этот диод стали усовершенствовать, что бы его не надо было шунтировать ничем, тоже факт и он не перестал быть частью структуры тела от этого.
https://www.digikey.com/en/product-highlight/v/vishay-siliconix/650-v-fast-body-diode-mosfets

[Кass]

Вы отличаете  схему от реального прибора?  Где я указал, что это прямо вот два соединенных диода посредством выведенных контактов?

Ну вы же это называете транзистором. Надеюсь вы не считаете, что наличие двух p-n переходов это автоматом биполярный транзистор. Как правило это будет очень хреновый транзистор, мягко говоря. Вы просто прочитали это в какой то из множества статей и сильно этим заморочились. Если отвлечься немного от диода, о чем мы говорили изначально, то давайте рассмотрим эти ваши паразитные транзисторы.

Вот крупно фрагмент элемента Power MOSFET.



Тут более правильная картинка, чем ваша из учебника по маломощному МОПу. Обратите внимание, что паразитные транзисторы включены не между стоком и истоком. Тут картина несколько сложнее. Тут изображены и паразитные диоды, но из сопротивление велико по причине наличие достаточно большой зоны N-. Когда напряжение прямой полярности (+ на стоке и - на истоке), то эта зона насыщается зарядами из зоны N+, а вот в обратной полярности этого насыщения нет. Площадь переходов мала. Именно поэтому этих паразитных диодов не достаточно, и в НЕХ структурах делаются отдельно дополнительные диоды с достаточно большой площадью перехода.

[Vova_n]

https://power-e.ru/2011_2_10.php
https://www.compel.ru/lib/ne/2011/10/4-kak-razrabotchiku-zastavit-rabotat-novyie-mosfets
https://www.power-e.ru/pre_24_6_13_SMlchp.php
https://www.kit-e.ru/articles/powerel/2006_4_136.php
Много из того, что тут на ин-язе публиковали с теме же картинками но по русски.
Может придёте уже к консенсусу.

[Кass]

Может придёте уже к консенсусу.

Мы можем прийти к любому консенсусу, что 2х2=8. Толку то от этого? Во всех источниках указано, что в HEXFET ест отдельные диоды в виде шестигранников, они есть на всех картинках.



Ну зачем изобретать велосипед? Получится как с постоянным током, а все только из-за того, что кто то переведя одинаково СС и DC потом постеснялся признаться и пытался как то оправдаться, и потому 220В в розетке стало постоянным напряжением, потому что все время 220. С каждым таким новым конценсусом мы будем заходить все дальше и дальше в дебри и все дальше от остального мира.

[Vova_n]

Думаю это должно завершить этот бестолковый спор.

[serggio]

Думаю это должно завершить этот бестолковый спор.

Спор нормальный. Просто некоторые упорно не понимают что диод в тех транзисторах о которых мы уже 50 страниц трем производитель делает специально и характеристики ему задает

[Яков93]

И я бы попросил уважаемого Касса добавить ссылку на начало этой дискуссии про внутренний диод (транзистор) в первое сообщение темы 

[Кass]

И я бы попросил уважаемого Касса добавить ссылку на начало этой дискуссии про внутренний диод

Сделал.
Добавлено 19 Апр. 2019 в 22:00
[user]Vova_n[/user], вы опять постите какие то древние картинки про маломощные МОП транзисторы. Тут же речь о HEXFET. Вы обратите внимание, что там в корне иная структура. К примеру сток не сверху структуры, а снизу, где у маломощных подложка. Вникните вначале в суть темы.

[serggio]

Vova_n, вы опять постите какие то древние картинки про маломощные МОП транзисторы.
Тут же речь о HEXFET. Вы обратите внимание, что там в корне иная структура. К примеру сток не сверху структуры, а снизу, где у маломощных подложка.

Вы не внимательно прочли немногочисленные сообщения от [user]Vova_n[/user], и скрины в его последнем сообщении.

Да и причем тут конкретно HEXFET который вы приплели в названии ссылки на первой странице?
IRFP250N имеет встроенный диод? Это HEXFET?
Вы и вправду думаете что диод только у HEXFET?

[Vova_n]

Вы не внимательно прочли немногочисленные сообщения от smiley Vova_n, и скрины в его последнем сообщении.

А он и по ссылкам не ходил похоже

Во всех источниках указано, что в HEXFET ест отдельные диоды в виде шестигранников, они есть на всех картинках.

Структура HEXFET подразумевает организацию в одном кристалле тысяч параллельно-включенных МОП-транзисторных ячеек, образующих шестиугольник. Такое решение позволило существенно снизить сопротивление открытого канала RDS(on) и сделало возможным коммутацию больших токов.

Очевидно, что параллельная структура имеет и параллельное включение паразитных элементов (транзисторов) которые и выступают качестве интегральных диодов.
Вот тут про HEXFET III и эквивалент структуры аналогичен http://www.irf.ru/pdf/articles/AN-966.pdf
Что касаемо диодов везде пишут "интегральный диод" что это такое? видимо нет, отсюда и не понимание. Можно загуглить "integral reverse pn junction diode mosfet"
Ниже по ссылке в первом же пункте дана сноска, что диод является частью структуры транзистора, а не введён туда специально и картинка как раз которая вам так понравилась HEXFET 
https://www.infineon.com/dgdl/an-936.pdf?fileId=5546d462533600a40153559e997e1180
Далее мне добавить нечего.