О зарядных устройствах и свинцовых АКБ от А до Я (по версии Kass)

[Serg]

Не

Можете взять любой подобный транзистор без встроенного диода Зенера (по сути стабилитрона), если конечно найдете

Не найдет , поскольку даже не станет искать.
Никто специальным образом не встраивает данный диод.  Более того это по сути даже не диод.
МОП  транзистор содержит паразитные элементы из-за принципиальных особенностей структуры, один из таких элементов - встроенный биполярный транзистор,  условно коллектор которого выступает в роли стабилитрона.
ПС  кроме биполярного тр-ра  еще присутствует паразитный полевой транзистор с p-n ( или n-p)  переходом. Не Такой он простой парень - этот МОП транзистор.

[serggio]

Никто специальным образом не встраивает данный диод.  Более того это по сути даже не диод.

Зря вы так...
Именно встраивают диод в силовые (Power) мосфеты. Он называется Body diode.

Power MOSFET generally contains a body diode, which provides "free wheeling" operation in the inductive load switching.

[Serg]

Именно встраивают диод в силовые (Power) мосфеты.

Нет.
Иначе, чем на этой картинке сделать любой (даже не силовой) МОП не получится.



Любой инженер увидит сходу паразитный биполярный транзистор n-p-n. Потому и указывается "body", что в теле МОПа находится паразит - биполяр.

Иными словами: изготавливаете  МОП - получаете  биполяр прицепом в теле(body).

[Vova_n]

Иными словами: изготавливаете  МОП - получаете  биполяр прицепом в теле(body)

Верно, но производители этот прицеп адаптируют и он берёт на себя функцию защитного диода, хотя в некоторых случаях без параллельного включения боле быстрых диодов не обойтись, всё зависит от специфики схемы.
А как пример возьмите биполярные ВЧ транзисторы к примеру 2SC1969, там ведь нет паразита в теле, а диод есть, лишь по тому, что назначение этого транзистора работа с значительными амплитудными значениями тока на высокой частоте в SSB end AM моуляции и защитный диод ему не навредит, о вас так сказать позаботился производитель, так и с современными фетами паразита адаптируют.
В некоторых случая я матом ругаюсь когда мне в схеме этот боди стоит поперёк горла иногда от него только вред.

[Serg]

[user]Vova_n[/user], Защитные диоды от производителя в биполярном тр-ре без комментариев.

[Кass]

Цитата: serggio писал Вчера в 21:54
Именно встраивают диод в силовые (Power) мосфеты.
Нет.
Иначе, чем на этой картинке сделать любой (даже не силовой) МОП не получится.

Вы берете картинку, которая по сути никак не соответствует HEXFET транзисторам и рассуждаете о диодах? Обсуждаемые тут МОП транзисторы имеют гексагональную топологию. Это скорее интегральная микросхема, чем отдельно взятый транзистор, ибо в ней тысячи МОП транзисторов.



Вот тут на картинке видно, где тут диоды. А вы рассматриваете структуру старого маломощного МОП транзистора.

[Serg]

Это скорее интегральная микросхема

Это просто топология двух ооочень широких каналов, оптимальная упаковка на плоскости.  Если сделать вид в разрезе, все одно придете к тому, нарисовано на моей схеме.

Вот где паразитные транзисторы, как видит это компания Infinton для мощных МОП

Правда картинка не цветная  -  могут возникнать сложности с очевидностью

[Кass]

Если сделать вид в разрезе, все одно придете к тому, нарисовано на моей схеме.

Да опять таки не та будет схема. Тут в центре шестиугольников есть реально диоды. Это не MOSFET, а HEXFET. Не стоит по картинке MOSFET пытаться судит о HEXFET.

Вот где паразитные транзисторы

Да причем тут вообще паразитные транзисторы. Речь шла о диодах параллельно И-С.

[Serg]

Да причем тут вообще паразитные транзисторы. Речь шла о диодах параллельно И-С.

Это HEXFET от Infineon в поперечном разрезе для одной из сторон шестиугольника. Диоды на вашей картинке представляют из-себя коллекторные переходы сих транзисторов на картинке Infineon.

[Кass]

Это HEXFET от Infineon в поперечном разрезе для одной из сторон шестиугольника.

Там снизу и подписано: MOSFET, а не HEXFET. Если первый представляет из себя кусочек кремния в виде параллелепипеда, то последний представляет из себя сложную трехмерную структуру и рассматривать ее на примере MOSFET можно лишь для очень упрощенного понимания. Делать какие то глубокие выводы не стоит.

Диоды на вашей картинке представляют из-себя коллекторы сих транзисторов на картинке Infineon.

Хорошо, я дорисую картинку:



Вот тут видно, где транзистор, а где диод. Да, они там соединены, как любые элементы в ИС.

[Serg]

Там снизу и подписано: MOSFET, а не HEXFET.

Когда это HEXFET перестал быть MOSFETом? Последнее - это принцип работы. Первое конкретная топологическая реализация. Есть еще  других разных MOSFETов
Речь идет о паразитных транзисторах: биполярном транзисторе и полевом транзисторе с р-n переходом.

ПС похоже из вашего же источника - [b-b]HEXFET is trademark of power MOSFET developed by International Rectifier.
[/b-b]

[Кass]

Когда это HEXFET перестал быть MOSFETом?

Изначально, ровно как автомобиль ныне это не дословно самодвижущаяся повозка, как переводится сей термин. Они одно и тоже только по принципу работы, но не по сути. Как вы думаете, какой формы затвор у HEXFET и у MOSFET? Сможете ответить на этот вопрос?

[Serg]

Как вы думаете, какой формы затвор у HEXFET и у MOSFET? Сможете ответить на этот вопрос?

Полоска металла сложно "начерченная" на поверхости кристалла ввиде сотовой структуры.
Еще раз-
HEXFET is trademark of power [b-b]MOSFET[/b-b] developed by International Rectifier.
Добавлено 18 Апр. 2019 в 14:09

по принципу работы, но не по сути.

Принцип работы и есть суть.

[serggio]

Нет.
Иначе, чем на этой картинке сделать любой (даже не силовой) МОП не получится.

У вас не получиться, а производители делают.
[user]Serg[/user], вы приводите слишком общие картинки структуры мосфет на которых пытаетесь что-то найти.
Поищите более детально.

[Serg]

Поищите более детально.

Перед вашими красными выделениями текста имеется текст - MOSFET has parasitic BJT(биполярный транзистор)
А на картинке рядом с выделенным диодом нарисован тот самый биполяр, частью которого является этот диод(коллекторный переход биполяра). Все сходится.

[Serg]

[user]serggio[/user], И вообще ваша картинка просто рисунок другой топологии UMOS- вертикальной. По сути та же структура в разрезе, что и на первой цветной картинке MOSFETа, что указал я.
Даже если вы сейчас нарисуете VMOS( c V-образной канавкой) - это будет принципиально тотже MOSFET c сохранением принципиально всех областей структуры, что указаны  на цветной картинке. Ничего принципиально нового - только наклонная топология канала.

ПС Принципиально все MOSFETы одинаковы - поэтому приводят одну картинку для всех топологий скопом, когда рассматривают базовые принципы его работы.

[serggio]

Перед вашими красными выделениями текста имеется текст - MOSFET has parasitic BJT(биполярный транзистор)
А на картинке рядом с выделенным диодом нарисован тот самый биполяр, частью которого является этот диод(коллекторный переход биполяра). Все сходится.

Я не знаю что у вас там сходиться, но паразитный биполяр нарисован не между стоком истоком как бы.
Вы видите что структура транзистора немного другая. Там четыре слоя, а не три, которые вы хотите притянуть за уши к теме обсуждения.

[Serg]

но паразитный биполяр нарисован не между стоком истоком как бы.

Как бы там и нарисован.


Нарисовано непрерывными линиями: база в истоке, коллектор в стоке. Переход КЭ и представляет из себя тот самый диод, нарисованный пунктиром.

Добавлено 18 Апр. 2019 в 14:55
[user]serggio[/user],  Вы не хотите видеть биполяр, видите только часть структуры - диод . Это привычнее для всех.Согласен.
Но имеются принципиальные явления, которые ограничивают работу МОП транзистора, для объяснения которых не обойтись без полной структуры - биполярного транзистора.