О зарядных устройствах и свинцовых АКБ от А до Я (по версии Kass)

[Serg]

На эквивалентной схеме от Infenion рассматривается современный силовой мосфет в котором все как надо организованно.

Ну да, и я вижу откуда это берется прямо по их картинкам, в том числе и на упрощенных.
Видишь суслика - нет, а он есть
Добавлено 18 Апр. 2019 в 20:27

Я просто перепутал в одном из сообщений выше

Причем так , что стали ерничать в мой адрес. Советую, чаще вспоминать по суслика

[Serg]

На эквивалентной схеме от Infenion рассматривается современный силовой мосфет в котором все как надо организованно.

Как раз начинается методичка прямо с такой же упрощенной схемы


А вот и поясниловка к ней -
Figure 1 shows the device schematic, transfer characteristics and device symbol for a MOSFET.  The invention of the power MOSFET was partly driven by the limitations of bipolar power junction transistors (BJTs) which, until recently, was the device of choice in power electronics applications.

Переводить?

[Кass]

Не против, что я заменил условное изображение транзистора на два встречно последовательно включенных диодика?- отражает ведь биполярную сруктуру N-P-N.

Да. Это и есть паразитный npn транзистор. База у него на подложке. Теперь внимательно смотрим на эту картинку:



Где тут подложка?  Неужели вы не видите, что нет подложки с р-областью? Там n-область и сток. Это HEXFET. Он иначе сделан.

[Serg]

Где тут подложка?  Неужели вы не видите, что нет подложки с р-областью? Там n-область и сток. Это HEXFET. Он иначе сделан.

Поменяли подложку р-типа на подложку n-типа, и по другому организовали выводы с кристалла. Грусть.. печаль
Структура транзистора при этом сохранилась как скала!  Две области N-типа соединены областью P-типа, над этой областью изолированный затвор. N-P-N структура никуда не делась, вуаля.

ПС Замените слова подложку(область P-типа) на просто!!! -  область P-типа. Вторая часть неизменна - исток. Их соединяют, да.

[Кass]

Поменяли подложку р-типа на подложку n-типа, и по другому организовали выводы с кристалла.

Это не я поменял, а производители транзисторов.

[serggio]

Как раз начинается методичка прямо с такой же упрощенной схемы

Да ну....
Что то ловко то статьей манипулируете. Как заправский жонглер. 
Да и еще эти ваши смайлики...
Вы картинки то свои не обрезайте, уважаемый и статейку почитайте. Как у нас те самые СОВРЕМЕННЫЕ power mosfet появились.


Я вам даже разукрасил и ключевую фразу выделил 
New structures! - Значит новые структуры!

Ловкий вы парень 



За сим откланиваюсь! Развивайтесь! 


Добавлено 18 Апр. 2019 в 21:32

Это не я поменял, а производители транзисторов.

Не понимает видимо...   

[Serg]

Вы картинки то свои не обрезайте, уважаемый и статейку почитайте.

Вы своими словами напишите, против чего должны быть ваши картинки направлены в моих словах. Доказательством чего становятся?
Того, что в структуре МОП транзистора угнездилась N-P-N структура? - не опровегнуто.
Я вам уже писал, я тысячу раз нарисую свои рисунки и рисунки производителей приведу со структурами(даже цветные для безошибочного определения областей) и принципиальными эквивалентными схемами. С явно нарисованными биполярными транзисторами. Вы все равно не увидите суслика.

[serggio]

Вы своими словами напишите, против чего должны быть ваши картинки направлены в моим словах. Доказательством чего становятся?

Да против тех самых с которых вы начали эту пробу притянуть паразитные элементы к тщательно спланированной технологии и организации структуры современных силовых транзисторов.

Никто специальным образом не встраивает данный диод.  Более того это по сути даже не диод.
МОП  транзистор содержит паразитные элементы из-за принципиальных особенностей структуры, один из таких элементов - встроенный биполярный транзистор,  условно коллектор которого выступает в роли стабилитрона.

И этих..

Как раз начинается методичка прямо с такой же упрощенной схемы

Ну и еще там по тексту...
А вы думали, что слова "встроенный диод" или "внутренний диод" подразумевают под собой отдельный диод припаянный внутри пластикового корпуса к ногам сток-исток транзистора?   
Так вот диод там есть и точно не паразитный элемент.
Эх, до чего технологии дошли... (c) 

Видишь суслика - нет, а он есть 

[Serg]

Это не я поменял, а производители транзисторов.

Вы себе льстите, я вас не имел ввиду, боже упаси.
Только от этой перемены мест слагаемых, структура не поменялась, от слова совсем. Трудно  усвоить, понимаю...

[serggio]

Только от этой перемены мест слагаемых, структура не поменялась, от слова совсем. Трудно  усвоить, понимаю...

Ну как же не поменялась?
Ну уже и материалы вам выложили и всякие статьи, а вы говорите структура одна и та же...
По-моему вы уже просто троллите...

[Serg]

Да тех самых с которых вы начали эту пробу притянуть паразитные элементы к [b-b]тщательно спланированной технологии и организации структуры современных силовых транзисторов[/b-b].

Да ее по-другому нельзя создать хоть каких ультрасовременных транзисторов не возьми, кроме как разместить изолированный затвор над P-областью в N-P-N структуре. Это я вам и пытаюсь какую страницу впихать. А вот N-P-N структура и есть паразитный в данном случае биполяр. Вы ни одной картинки так и не нашли где была бы нарисована какая-та другая организация структуры МОП транзистора. Ни одной. Да, там меняются подложки, количество слоев и степень легирования их. Но базовая структура всегда одна, как нарисовано в начале методички из Infineon/ Это схематичная принципиальная картинка, и никак не реальное изображение всех на свете МОП транзисторов.

[serggio]

Да ее по-другому нельзя создать хоть каких ультрасовременных транзисторов, кроме как разместить изолированный затвор над P-областью в N-P-N структуре. Это я вам и пытаюсь какую страницу впихать.

При чем тут изолированный затвор и Р-область!???
Что вы крутитесь как уж на сковороде?
Мы говорим о шунтировании диодом стока и истока. И о том как стало возможно его создание в структуре полевого транзистора.

Но базовая структура всегда одна, как нарисовано в начале методички из Infineon/ Это схематичная принципиальная картинка, и никак не реальное изображение всех на свете МОП транзисторов.

Что-то они дураки нам показали вначале сток и исток полностью изолированной N-областью на базовой структуре, а потом принялись разъяснять на пальцах что к чему...
Вроде, давайте мы все же этим неучам (не Вам конкретно, а нам) разрисуем, как же в действительности эти паразитный элементы работают и как мы транзистор то делаем...
Вот тут слегка натянем Р-область на исток, а сток, едрить его колотить так и оставим в N-области.
И будет им паразитная структура - body diode 
Добавлено 18 Апр. 2019 в 22:12

Спойлер

[user]Serg[/user], вы не в командировке сейчас?
А то я глянул время во Владивостоке и понимаю что вы практически не спали всю ночь...

[Serg]

Спойлер

Я старый солдат, залипаю иногда. Работа - свободный график.

Добавлено 18 Апр 2019 в 22:25

Мы говорим о шунтировании диодом стока и истока. И о том как стало возможно его создание в структуре полевого транзистора.

По слогам. N. P. N. структура. Вначале было слово она. Все остальное на нее наверчено. Два диодика принципиальны. Не возможны, а , именно- принципиальны. Ферштейн?
Все остальное  - откуда торчат выводы, и что на что наползло является вторичным.

[serggio]

По слогам. N. P. N. структура. Вначале было слово она. Все остальное на нее наверчено.
Два диодика принципиальны. Не возможны, а , именно- принципиальны. Ферштейн?
Все остальное  - откуда торчат выводы, и что на что наползло является вторичным.

Да мертва ваша структура когда на затвор ничего не подано - транзистор ВЫКЛ! Как эти диодики себя ведут то в таком случае? С какого перепугу вы решили что этот ваш n-p-n это тот самый управляемый через ток Базу биполярник, по мановению волшебной палочки превратившийся в правильно подключенный к стоку и истоку "Коллектор и  Эммитер"?
А наш диодик как раз именно тогда и работает! Он не вторичен, он первичен! И его первичность определило именно то, что на что наползло!
Ферштейн теперь?

Спойлер

Я старый солдат, залипаю иногда

Старый солдат, никогда не знавший слов любви...
Пожалейте себя, оставьте клавиатуру, почитайте спокойно статейки, поразмыслите....
Я тоже пошел, хоть и не устал, но дела, да и одно и то же толочь уже порядком надоело.. 

[Serg]

Да мертва ваша структура когда на затвор ничего не подано - транзистор ВЫКЛ! Как эти диодики себя ведут то в таком случае?

Да ладно. Емкость в базе имеется от изолированого затвора. Усиливает поступающий сигнал даже ниже порога. Поэтому и сажают базу на эмиттер, чтобы не работал. Не трудно уяснить.

Убираете малое сопротивление Rb (рассоединяете базу с эмиттером) и получаете усилитель на биполярном транзисторе.
Очевидно же.

[serggio]

Да ладно. Емкость в базе имеется от изолированого затвора. Усиливает поступающий сигнал даже ниже порога. Поэтому и сажают базу на эмиттер, чтобы не работал. Не трудно уяснить.

Встроенный диод нужен когда транзистор ВЫКЛЮЧЕН!
Нет ничего на затворе, (на базе вашего воображаемого биполярника)!
Ноль, шиш, дыра о бублика!! Ваш n-p-n закрыт! Ваши диоды соединённые последовательно раскорячились в разные стороны! Так понятней?!
А наш рin диод работает! И гасит выбросы тока из за индуктивности в обратном направлении!
Именно поэтому кое что наползло на кое что и это наползание тщательно контролируется на этапе производства транзистора, а не на обум сову на глобус натянули!

[Кass]

По слогам. N. P. N. структура. Вначале было слово она. Все остальное на нее наверчено. Два диодика принципиальны. Не возможны, а , именно- принципиальны.

Я вот не пойму, вы поняли, что оказались не правы, и пытаетесь как то выкрутиться, но топите себя дальше, или реально не понимаете азов? Вы понимаете, что такое биполярный транзистор? Если вы соедините два диода анодами, вы получите npn транзистор?

[Serg]

Нет ничего на затворе, (на базе вашего воображаемого биполярника)!

Емкость есть? - значит не важно выше или ниже порога. Сигнал проходит.

Если вы соедините два диода анодами, вы получите npn транзистор?

Вы отличаете  схему от реального прибора?  Где я указал, что это прямо вот два соединенных диода посредством выведенных контактов?
Опять Удав в литавры стукнул, что-ли?