О зарядных устройствах и свинцовых АКБ от А до Я (по версии Kass)

[Serg]

Просто некоторые упорно не понимают что диод в тех транзисторах о которых мы уже 50 страниц трем производитель делает специально и характеристики ему задает

Не делает он этот диод специально. Не делает!
Призводитель не только о диоде думает, но и о оптимальном и контролируемом построении всей структуры МОП, когда желает получить требуемые характеристики. Ясен пень, что диод - важный элемент и  без внимания не оставляют, типа есть такое дело - ну хрен с ним. Конечно, инженеры управляют его свойствами, добиваясь необходимых парамеров.

Весь мой спич вообще о другом - паразитный биполяр внутренне присущ структуре МОП транзистора. По другому  - никак не построишь. В любой топологии.
И неважно как упакован канал по кристаллу планарно или вертикально, ввиде гребенки или ввиде сот. Пусть в последнем параллельно включено тысячи диодов, но параллельно, Карл! - а это  значит можно их заменить одним дидом в экв. схеме. Это вообще тривиально - в методичках рисуют условное обозначение HEXFETa с одним диодом. Найдете условное изображение  с 1000 диодов - велкам
Добавлено 20 Апр 2019 в 04:40

пытался как то оправдаться, и потому 220В в розетке стало постоянным напряжением, потому что все время 220.

Заканчивайте врать  и приписывать свои фантазии другим.

[Serg]

Именно поэтому этих паразитных диодов не достаточно, и в НЕХ структурах делаются отдельно дополнительные диоды с достаточно большой площадью перехода.

Вы бредите. Если на вашей картинке и есть что-то с маленькой площадью - так это канал, но никак не площадь диода. Как говорят греки - смотри!

Это КП904 по планарной технологии. Где здесь маленькая площадь? - то-то же


А вот не вырезка одного элемента из гребенки как у вас, а фрагмент побольше технологии DMOS -

нихрена себе  -маленькая площадь диода. Да тут вся площадь - диод!
И кстати  -хорошая иллюстрация - попробуйте доказать, что диод встроили/встраивают специально.
Тут же указана эквивалентная схема DMOS с сопутствующими сопротивлениями и емкостями. Для тех кто хотел.
Добавлено 20 Апр 2019 в 04:55

Как правило это будет очень хреновый транзистор, мягко говоря.

Что-бы нагадить работе МОП транзистора ему не обязательно быть отличником учебы и физподготовкихорошим. Достаточно просто быть

[Serg]

 

Обратите внимание, что паразитные транзисторы включены не между стоком и истоком.

Обратил. Включены между стоком и истоком

[serggio]

Не делает он этот диод специально. Не делает!
Призводитель не только о диоде думает, но и о оптимальном и контролируемом построении всей структуры МОП, когда желает получить требуемые характеристики. Ясен пень, что диод - важный элемент и  без внимания не оставляют, типа есть такое дело - ну хрен с ним. Конечно, инженеры управляют его свойствами, добиваясь необходимых парамеров.

Найдите несколько противоречий в своем заявлении.
Не делает специально,... но управляет его свойствами добиваясь необходимых параметров...
А как он, производитель, эти параметры нужные достигает? Не управляет ли толщиной слоев, площадью кристалла, площадью отдельных областей? Площадью наползания Р-областей на исток?

[serggio]

Ниже по ссылке в первом же пункте дана сноска, что диод является частью структуры транзистора, а не введён туда специально и картинка как раз которая вам так понравилась HEXFET 
ссылка
Далее мне добавить нечего.

Вы не нашли принципиально ничего нового.
Этот же документ я выкладывал на русском несколькими страницами выше.
Опять же... часть структуры...
Вы не хотите понять, что структуру эту оптимизировали именно с учетом особенностей использования силовых транзисторов и оптимизировали ее так, чтобы эти паразитные элементы превратились в узаконенные рабочие элементы структуры транзистора с контролируемыми параметрами.
Они сделали вертикальную структуру, добавили соединение p областей к истоку чтобы сформировать то что стали называть встроенным pin диодом. Да он часть структуры и никак иначе.
Но это совершенно не то, что нам пытался нарисовать Serg изображая биполяр на горизонтальной структуре и найти в своем биполяре диод работающий так как надо.

Да производителям и сейчас ничего не мешает изолировать исток от p- областей при вертикальной структуре.
Только вот они этого не делают почему-то

[Vova_n]

Вы не хотите понять, что структуру эту оптимизировали именно с учетом особенностей использования силовых транзисторов и оптимизировали ее так, чтобы эти паразитные элементы превратились в узаконенные рабочие элементы структуры транзистора с контролируемыми параметрами.

https://electrotransport.ru/index.php?msg=1607718
https://electrotransport.ru/index.php?msg=1608292
Я это говорил с самого начала и не заметил, что бы [user]Serg[/user], чего то лишнего говорил.
https://www.digikey.com/eewiki/pages/viewpage.action?pageId=49414403

[serggio]

Я это говорил с самого начала и не заметил, что бы  Serg, чего то лишнего говорил.

[user]Serg[/user], пытался и пытается натянуть сову на глобус.
Сначала пытался свой биполярный транзистор превратить в диод в горизонтальной структуре полевика и одновременно рассказывая что ничего нового не придумали.
Затем постил картинки где изображен этот паразитный биполярный транзистор, и то как современный мосфет представлен в виде биполярика на эквивалентной схеме. Только эта схема рассматривает момент ВКЛЮЧЕНИЯ транзистора, о чем он старательно умалчивал.
Он упорно не хочет видеть где конкретно, на каких конкретно областях изображен этот его паразитный бипоряник и что он с диодом который мы обсуждаем как бы две разные вещи.
Вот тут Касс ему нашел. https://electrotransport.ru/index.php?topic=50717.msg1608037#msg1608037
Вот тут вот я ему нашел пути протекания токов через канал транзистора и через интегрированный диод. https://electrotransport.ru/index.php?topic=50717.1800#topmsg

Это и области разные (та которая образует диод и та, которая образует паразитный биполярник). Как бы связать две картинки одну от меня, другую от Касс ему религия не позволяет.

Так же ему религия не позволяет прочесть документ который вы нашли http://www.irf.ru/pdf/articles/AN-966.pdf о зависимости одного от другого

Лавинный пробой и высокая dv/dt при восстановлении интегрального диода являются двумя условиями, которые
способствуют включению паразитного биполярного транзистора. HEXFET Ill обязаны своей повышенной надежности
главным образом за счет улучшенного подавления интегрального паразитного биполярного транзистора

Вот это вот приписывание свойств одного к свойствам другого на основе картинки с горизонтальной структурой

МОП  транзистор содержит паразитные элементы из-за принципиальных особенностей структуры, один из таких элементов - встроенный биполярный транзистор,  условно коллектор которого выступает в роли стабилитрона.

Иначе, чем на этой картинке сделать любой (даже не силовой) МОП не получится.

мне напоминает открытие паразитного воздействия СВЧ вызывать энергию колебания молекул.
В одном случае мы курицу в микроволновке на обед разогреваем за счет паразиного воздействия большой энергии в объеме камеры микроволновки, в другом с той же энергией на передатчики через фидера сигнал качаем. И ничего там не жариться вокруг этих фидеров.

По вашей ссылке в статье всеми силами пытаются избежать лавинного пробоя этого паразитного биполярника, а у него он стабилитрон оказывается

[serggio]

Очевидно, что параллельная структура имеет и параллельное включение паразитных элементов (транзисторов) которые и выступают качестве интегральных диодов.
Вот тут про HEXFET III и эквивалент структуры аналогичен ссылка

Давайте внимательно дочитывать вашу статью.
Вот картинка изображающая диоды как было до и как стало после.

Разницу в начертании нашего пресловутого встроенного диода видите?

Из даташита от 12 мая 2010 г!


Из даташита от 18 августа 2010 г!


Пятое поколение HEXFET, пятое Карл!
А у вас третье поколение в статье уже без внешних диодов обходиться!

И ту структуру что мы по HEXFET обсуждаем уже никак не натянуть на картинку от [user]Serg[/user], с горизонтальной структурой, относительно которой все транзисторы сделаны "именно так и ничего принципиально нового не придумано"

Кстати, хочу обратить внимание еще на один момент:

Это КП904 по планарной технологии. Где здесь маленькая площадь? - то-то же

IRFP250NPbF - это планарник.
IRF2804PbF - это тренч (канальный, с канавками, или как его там на наш лад) мосфет.

Оба HEXFET.
А вот свойства у них разные, особенно в линейном режиме.
И еще кое что роднит.. Р-область граничит с истоком 
Далее сами разберетесь 

[Яков93]

Мне кажется вы даже уже забыли о чем собственно спорите, не?

Вот вроде начало, когда уважаемый Serg сказал, что диод в МОП транзистор специально не встраивают потому что он там всегда и так есть.

Никто специальным образом не встраивает данный диод.  Более того это по сути даже не диод.
МОП  транзистор содержит паразитные элементы из-за принципиальных особенностей структуры, один из таких элементов - встроенный биполярный транзистор,  условно коллектор которого выступает в роли стабилитрона.
ПС  кроме биполярного тр-ра  еще присутствует паразитный полевой транзистор с p-n ( или n-p)  переходом. Не Такой он простой парень - этот МОП транзистор.

А уважаемый serggio возразил

Зря вы так...
Именно встраивают диод в силовые (Power) мосфеты. Он называется Body diode.

Получается один говорит "специально встраивают в силовые", а другой "специально не встраивают, он всегда там присутствует из-за особенностей технологии".

Мне с гуманитарной колокольни видится, что правильнее всего сказал Vova_n, когда привел вот этот текст


Получается, что диод в МОП транзисторе присутствует всегда просто из-за особенностей производства и структуры транзистора. Его никуда не денешь, потому он и называется "паразитным". Но в некоторых моделях штатный "паразитный" диод еще и специально изменяют под нужды пользователей. Но совсем его убрать нельзя.

Может тогда и serggio и serg оба правы по своему? Ну хотя бы начальному вопросу.

[serggio]

Любителям натянуть сову на глобус диод на биполяр посвещается...

Спойлер

Никто специальным образом не встраивает данный диод.  Более того это по сути даже не диод.
МОП  транзистор содержит паразитные элементы из-за принципиальных особенностей структуры, один из таких элементов - встроенный биполярный транзистор,  условно коллектор которого выступает в роли стабилитрона.

Диод - не более чем переход КЭ биполяра
Завели пластинку про его встраивание. Далее цепочка - никто не встраивает, более того там даже не диод, а изначально триод(биполярный транзистор). Следующая цепочка от вас - а где, где там биполяр, я вижу диод. Все не так как нам пишут в учебнике - структура не та, не эта, слоев много.... И далее прочая слепота.

Поменяли подложку р-типа на подложку n-типа, и по другому организовали выводы с кристалла. Грусть.. печаль
Структура транзистора при этом сохранилась как скала!  Две области N-типа соединены областью P-типа, над этой областью изолированный затвор. N-P-N структура никуда не делась, вуаля.

Не против, что я заменил условное изображение транзистора на два встречно последовательно включенных диодика?- отражает ведь биполярную сруктуру N-P-N.

Суслика не видишь , а он есть(С).

Есть, есть... И похоже что у сусликов разные уши...

[serggio]

Может тогда и serggio и serg оба правы по своему? Ну хотя бы начальному вопросу.

Ни в коем случае!
Именно в первоначальном вопросе и пошло разногласие!
О чем - я как раз выделил выше.

Мне с гуманитарной колокольни видится, что правильнее всего сказал Vova_n, когда привел вот этот текст

Тексты бывают разные. Особенно писанные в разные времена. Но самая большая проблема, в качественном техническом переводе.
К сожалению, в статьях на русском полно отсебятины и прочей ерунды.
Все новые технологии по полупроводникам рождаются, к сожалению, не у нас.
Поэтому я всегда предпочитаю использовать источники на английском языке - которые нативно написаны их авторами, а не переводчиками, думающими что в структуре современных транзисторов - это одно и тоже что и диод

[user]Яков93[/user], вот на картинке в моем сообщение выше уже куда более понятно, что является диодом а что биполярником (BJT) в современной структуре силового мосфета.
Так вот этот вот самый BJT нам и пытались натянуть на диод вооружившись умелыми вырезками из современных статей от IOR

[Яков93]

Ни в коем случае!
Именно в первоначальном вопросе и пошло разногласие!
О чем - я как раз выделил выше.

Так в чем разногласие то?
Вы говорите, что в силовые МОП встраивают диод, serg говорит, что он там и так всегда присутствует...
Вы считаете, что диод есть не всех МОПах и если его специально не встроить так там его и не будет?
Или что это не диод, а стабилитрон/переход база-коллектор/что-то вообще НЁХ поймешь?

[serggio]

Вы говорите, что в силовые МОП встраивают диод, serg говорит, что он там и так всегда присутствует...

Я говорю что диод интегрированный - встроенный - специально созданный в рамках структуры!
Специально сформированный, т.к. это видно по соотношению областей граничащих с истоком и стоком. Его параметры задает производитель, путем тщательного контроля областей во время производственного процесса.
[user]Serg[/user], говорит о том что диод паразитное явление, приводит картинки из какой то древности и пытается на них найти свой паразитный диод.
Мол он типо паразитный, но все же параметры его как бы контролируются...

Не делает он этот диод специально. Не делает!
Призводитель не только о диоде думает, но и о оптимальном и контролируемом построении всей структуры МОП, когда желает получить требуемые характеристики. Ясен пень, что диод - важный элемент и  без внимания не оставляют, типа есть такое дело - ну хрен с ним. Конечно, инженеры управляют его свойствами, добиваясь необходимых парамеров.

Понимаете каламбур, да? Т.е. эти инженеры зачем то натянули Р-области на исток и сидят там довольные.
А вот если на схему транзистора от [user]Serg[/user], посмотреть, то и вовсе ничего никуда натягивать не нужно было, диод и так там хорошо вписывался. Как паразитный.

Нет.
Иначе, чем на этой картинке сделать любой (даже не силовой) МОП не получится.



Любой инженер увидит сходу паразитный биполярный транзистор n-p-n. Потому и указывается "body", что в теле МОПа находится паразит - биполяр.

Иными словами: изготавливаете  МОП - получаете  биполяр прицепом в теле(body).

В общем то, я думаю в этом разногласие

[Яков93]

Я говорю что диод интегрированный - встроенный - специально созданный в рамках структуры!
Специально сформированный, т.к. это видно по соотношению областей граничащих с истоком и стоком. Его параметры задает производитель, путем тщательного контроля областей во время производственного процесса.
[user]Serg[/user], говорит о том что диод паразитное явление, приводит картинки из какой то древности и пытается на них найти свой паразитный диод.

Параметры паразитного явления тоже можно контролировать и использовать в свою пользу или стараться их уменьшать, Вы же сами привели пример с СВЧ сигналом. В нужных местах его выпускают наружу, в ненужных запирают экранами. Но экраны его не уничтожают, а просто наружу не выпускают. Сигнал то все равно есть.
Так и с этим "диодом", который все равно при производстве есть, никуда от него не денешься. Но можно его постараться применить в свою пользу, изменив характеристики в ту или другую сторону.

Мол он типо паразитный, но все же параметры его как бы контролируются... Понимаете каламбур, да? Т.е. эти инженеры зачем то натянули Р-области на исток и сидят там довольные.

Избавиться от него нельзя, вот потому он и "паразитный".
А сидят довольные... ну наверное потому что смогли его как-то для своей пользы приспособить 

Любой инженер увидит сходу паразитный биполярный транзистор n-p-n. Потому и указывается "body", что в теле МОПа находится паразит - биполяр.
Иными словами: изготавливаете  МОП - получаете  биполяр прицепом в теле(body).

В общем то, я думаю в этом разногласие

Т.е. разногласие в том, что именно там изначально - биполяр или диод?
Ну serg вроде сразу сказал, что там биполяр. И из его перехода коллектор-база образуется "паразитный диод".

[serggio]

Параметры паразитного явления тоже можно контролировать и использовать в свою пользу или стараться их уменьшать, Вы же сами привели пример с СВЧ сигналом. В нужных местах его выпускают наружу, в ненужных запирают экранами. Но экраны его не уничтожают, а просто наружу не выпускают. Сигнал то все равно есть.
Так и с этим "диодом", который все равно при производстве есть, никуда от него не денешься. Но можно его постараться применить в свою пользу, изменив характеристики в ту или другую сторону.

[user]Яков93[/user], вот [user]Vova_n[/user], выкладывал выше статью.
В ней написано:

Подавление паразитного биполярного транзистора
Подавление паразитного биполярного транзистора Последствия прямого смещения паразитного биполярного транзистора в МОП%транзисторе можно увидеть из рис. 2, который показывает, как ведет себя биполярный транзистор при различных смещениях база%эмиттер. VCBO представляет запирающую способность перехода между областью стока N%типа и областью Р%типа, которая будет достигнута, если область истока будет полностью изолирована. VCER представляет запирающее напряжение, достигаемое, когда база 3 Рис. 1. Зависимость оптимальной плотности упаковки ячеек от напряжения Рис. 2. Характеристики биполярного транзистора транзистора соединена с эмиттером через резистор.

Т.е. эти инженеры таки борятся с паразитным биполярником, на который влияет "паразитный диод", который они одновременно с этим улучшают, а у [user]Serg[/user], оказывается одно порождает другое 
Это же, блин, абсурд какой то!
Добавлено 20 Апр. 2019 в 14:06

Т.е. разногласие в том, что именно там изначально - биполяр или диод?

Ну serg вроде сразу сказал, что там биполяр. И из его перехода коллектор-база образуется "паразитный диод".

Вот они на картинке современной структуры выше два красавца.
Пусть и дальше одно на другое натягивает. Только вот в разных они областях, в разных! И переходы там разные!

[Serg]

Только вот они этого не делают почему-то

Вот потому и не делают. Подумайте почему. Хотя, наверно, не в коня корм.

[Serg]

Есть, есть... И похоже что у сусликов разные уши...

На этойкартинке все повторяется вновь. Две области N типа зажимают область P  типа и над областью Р типа угнездился изолированный затвор.
Другого способа изготовить МОП ранзистор не существует.
Не хотите видеть - тысяча и одна картинка вас не убедит.

Уясните это, наконец.

[serggio]

Вот потому и не делают. Подумайте почему.

Мне то давно понятно почему. Я как то умею отличать в каком направление включаются "паразитные" диоды, а в каком направлении паразитные транзисторы.
Там вон, у меня на картинке выше и путь тока - движение электронов по нашему красными и синими стрелками нарисованы.
Смотрите где у вас паразитный биполяник, куда у него нарисована стрелочка на эмиттере и кумекайте дальше что такое лавинный пробой между n+ p+ и n- областями силового мосфета

Хотя, наверно, не в коня корм.

Абсолютное согласие!